30W pd快充方案PN8165+PN8307H(A)

　　芯朋微30W PD快充方案：PN8165+PN8307H(A)，搭配行業最精簡的SOT23-3 Boost芯片AP2080，輕鬆實現輸出功率20W向30W的快速升級迭代。並且與20W PD快充產品PN8161+PN8307全兼容！

　　

　　一、方案特征　　

　　■ 小尺寸設計：38mm(L)X36mm(W )X18mm(H)　　

　　■ 輸出規格 5V3A,9V3A,15V2A,20V1.5A,3.3-11V/3A　　

　　■ 滿足CoC V5 Tier2 能效規範　　

　　■ 待機功耗小於75mW　　

　　■ 最大輸出電壓紋波小於120mVP_P　　

　　■ 支持PD3.0協議　　

　　■ 整個方案包含：PN8165，PN8307H(A)和AP2080

　　

　　二、封裝及腳位配置

　　

　　PN8165主要特性　　

　　■ 內置650V高雪崩能力的功率MOSFET　　

　　■ 準諧振工作　　

　　■ 最高開關頻率125kHz　　

　　■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻　　

　　■ 內置高壓啟動，空載待機功耗<50mW　　

　　■ 改善EM I的頻率調製技術優異　　

　　■ 全麵的保護功能(OVP,UVP,OTP,CS短路保護等）

　　

　　PN8307H主要特性　　

　　■ 集成MOS及SR控製於一體　　

　　■ DFN 5x6封裝　　

　　■ 適應多工作模式：QR/DCM　　

　　■ SRMOS導通阻抗：100V/10m

　　

　　AP2080主要特性　　

　　■ 應用於VDD輔助供電　　

　　■ 具有Boost功能，可實現：低VDD且寬輸出的需求，有利於能效設計

　　

　　三、DEMO 實物圖

　　

　　四、方案典型應用圖

　　

　　五、待機功耗

　　

　　六、輸出規格及效率

　　

　　七、方案亮點　　

　　1、內置高壓啟動和電流采樣的高精簡主控：PN8165集成650V0.55Ω智能MOSFET，無需外部啟動電阻和CS電阻，方便布線，並提升市電低壓下的轉換效率。　　

　　2、100V全集成同步整流：PN8307H(A)內置100V/10mΩ智能MOSFET，自適應死區控製提高MOSFET Rdson利用率，顯著降低溫升，超高性價比。　　

　　3、兆赫茲SOT23-3升壓供電：AP2080采用兆赫茲開關頻率的COT控製技術，將儲能電感體積降至0805封裝，任何工況下PN8165供電範圍控製在11~35V，顯著提升15~20V輸出電壓下的轉換效率。　　

　　4、EMC性能卓越：采用QR控製方式+自適應抖頻+智能功率器件等組合創新技術，改善係統EMC性能，傳導輻射裕量輕鬆大於6dB。　　

　　5、保護功能豐富：方案具有市電欠壓保護、輸出過壓保護、原副邊防直通保護、過載保護、過溫保護等，為充電器安全運行保駕護航。　　

　　6、全係列腳位兼容：PN816x/PN8307x全係列芯片腳位相同，SOP8/PDFN兩種封裝靈活選擇，便於電源產品係列化設計及安規認證。

　　

　　PN8165+PN8307H(A）30W pd快充方案5V0A時230V輸入的待機功耗在50mW左右，滿足75mW能效標準，5V9V12V15V平均效率相對於能效標準有2.5%以上裕量，20V輸出下平均效率相對於能效標準有2%以上的裕量，更多30w快充設計方案特點、應用原理圖、變壓器設計、測試數據及應用要點請向我們申請。>>