推薦產品
聯係我們
RAYBET雷競技app
電話:0755-23087599
手機:13808858392
郵箱:dunianhua@leweitech.com
地址:深圳市寶安區西鄉鶴洲恒豐工業城B11棟5樓東
ID2006 200V半橋驅動芯片
所屬分類:
芯朋電機驅動芯片
品牌:芯朋微/安趨
型號:ID2006SEC-R1
封裝:SOP8
功率:6V~18V
電流:1A/1A
型號:ID2006SEC-R1
封裝:SOP8
功率:6V~18V
電流:1A/1A
訂購熱線:
0755-23087599
ID2006芯片是一款基於P襯底、P外延工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片,具有獨立的高低邊參考輸出通道。該浮動通道可用於驅動高側配置的N溝道功率MOSFET,工作電壓高達200V。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至33V。具有大電流輸出能力。
ID2006芯片特性
■ 高側浮動偏移電壓200V
■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V
■ dV/dt抗幹擾能力±50V/nsec
■ 芯片工作電壓範圍6V~18V
■ 拉/灌電流能力典型值1A/1A
■ VS負偏壓能力典型值-9V
id2006驅動芯片封裝及引腳
id2006驅動芯片封裝及引腳
驅動芯片id2006工作原理圖
備注1:RB值建議使用10Ω,BSD采用超快恢複或肖特基二極管。
備注2:CBS值根據PWM控製條件而定。
備注3:驅動電路應根據所使用的MOSFETs進行調整。
備注4:MOSFETs柵極和源極之間的下拉電阻,建議為10kΩ。
備注5:HIL/LIN和MCU之間的電阻器,建議值為100-1kΩ。
應用領域
■ 中小型功率電機驅動
■ 功率MOSFET驅動
■ 半橋功率逆變器
■ 全橋功率逆變器
■ 任意互補驅動轉換器
ID2006 200V半橋驅動芯片是高低側半橋驅動芯片,具有防直通功能、輸入功率電壓高達 200V, 6-18V 寬範圍工作電壓範圍、1A/1A 拉灌電流能力、輸入兼容 3.3V, 5V 邏輯工作電平,典型應用於電動車、電動平衡車等領域,更多id2006驅動芯片產品手冊及應用資料請向RAYBET雷競技下載蘋果 申請。>>