常用IGBT耐壓600V絕緣柵雙極型晶體管參數

　　IGBT是一種複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高頻率、高電壓、大電流，易於開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”，士蘭微生產的耐壓600V IGBT產品，覆蓋了從5A至50A的電流規格，在電焊機、變頻器和IPM領域已經得到了大規模應用，獲得了業內廣泛好評。

　　

　　SGTP5T60SD1D/F/S IGBT絕緣柵雙極型晶體管，5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，有TO252、TO263、TO220F多種封裝，可應用於UPS，SMPS以及PFC等領域。

　　

　　SGT15T60SD1T/F/S 15A、600V絕緣柵雙極型晶體管，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=15A，有T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-263-2L多種封裝，具有較低的導通損耗和開關損耗。

　　

　　SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 絕緣柵雙極型晶體管，集電極-射極電壓600V，集電極電流（Tc=100°）20A，具有較低的飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=20A，有T0-220F-3L、T0-263-2L、T0-247-3L、T0-220FD-3L、T0-3P、T0-220-3L多種封裝。

　　

　　SGT20T60SDM1P7 20、600V絕緣柵雙極型晶體管，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.7V@IC=20A，采用T0-247-3L封裝，具有導通損耗、快開關速度、高輸入阻抗等特點。

　　

　　SGT30T60SD1F 絕緣柵雙極型晶體管，集電極-射極電壓600V，集電極電流（Tc=100°）30A，具有較低的飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A，有T0-220F-3L、TO-220FD-3L兩種封裝。

　　

　　SGT30T60SDM1P7 30A、600V絕緣柵雙極型晶體管，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A，采用T0-2473L封裝。

　　

　　SGTP50V60FD2PF絕緣柵雙極型晶體管，集電極-射極電壓600V，集電極電流（Tc=100°）50A，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=50A，采用TO-3PF封裝，具有較低的導通損耗和開關損耗，該產品可應用於光伏，UPS，SMPS以及PFC等領域。

　　

　　常用IGBT耐壓600V係列有TO252、TO263、TO220F、TO247、TO220FD、TO3PF、TO247N等多種封裝，滿足不同市場和應用的需求提供品質穩定和優異性能的產品，同時能夠控製成本，保證供貨，從而能讓產品在價格、供貨以及技術支持方麵有著持續的優勢，更多600V-1350V IGBT絕緣柵雙極型晶體管產品手冊、參數及方案應用資料請向士蘭微IGBT代理商RAYBET雷竞技下载苹果 申請。>>