60-80V mos管係列，BMS、逆變器、儲能光伏專用mos管！

　　60-80V低壓mos管係列采用士蘭的LVMOS工藝技術製造，具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量，可廣泛應用於不間斷電源及逆變器係統的電源管理領域，BMS、逆變器、儲能光伏專用mos管！

　　

　　60V 低壓mos管係列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA等，導通電阻RDS(on)(典型值)範圍2.8mΩ-9.5mΩ，有PDFN56、TO252、SOP8封裝，滿足不同的電路拓撲結構與終端使用需求。　　

　　SVG062R8NL5 60v mos管是140A、60V N溝道增強型場效應管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導通電阻RDs(on)(典型值)=2.8 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG063R5NL5 60v耐壓的mos管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導通電阻RDs(on)(典型值)=3.5 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVGP066R1NL5 71A 60V N溝道增強型場效應管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導通電阻RDs(on)(典型值)=6.1 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG069R5ND 60A、60V N溝道增強型場效應管采用TO252封裝，漏源電壓VDS=60V，導通電阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。　　

　　SVGP069R5NSA 14A、60V N溝道增強型場效應管采用SOP8封裝，漏源電壓VDS=60V，導通電阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

　　

　　80V低壓mos係列：主要有SVGP082R6NL5A、SVG083R4NS、SVG083R4NT、SVG083R6NL5 、SVG086R0ND、SVG086R0NL5、SVG086R0NS、SVG086R0NT等，導通電阻RDS(on)(典型值)範圍2.6 mΩ-6.0 mΩ，有DFN56、TO263、TO220、TO252等多種封裝，滿足不同的電路拓撲結構與終端使用需求。　　

　　SVGP082R6NL5A 100A、80V N溝道增強型場效應管采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=80V，導通電阻RDs(on)(典型值)=2.6 mΩ@VGs=10V，具有低柵極電荷、快關速度快、低反向傳輸電容等特點。　　

　　SVG083R4NS  120A、80V N溝道增強型場效應管采用TO263封裝，漏源電壓VDS=80V，導通電阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG083R4NT 120A、80V N溝道增強型場效應管采用TO220封裝，漏源電壓VDS=80V，導通電阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG083R6NL5 138A、80V N溝道增強型場效應管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=80V，導通電阻RDs(on)(典型值)=3.6 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0ND 80v mos管采用TO252封裝，漏源電壓VDS=80V，導通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NL5 120A、80V N溝道增強型場效應管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=80V，導通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NS 采用TO263封裝，漏源電壓VDS=80V，漏極電流Tc=25℃：120A，導通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NT 采用TO220封裝，漏源電壓VDS=80V，漏極電流Tc=25℃：120A，導通電阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V，是120A、80V N溝道增強型場效應管。

　　

　　低壓-150~200V mos管係列具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內阻、結電容小、低消耗、低溫升、高轉換效率、過電流大、抗衝擊能力強、開關損耗小等的優點，廣泛應用於汽車電子、電機、非機動車、手機、筆電、鋰電、新能源、大功率電源、其他消費電子等領域，更多MOS器件替換及選型產品手冊、參數等方案資料請向士蘭微mos代理商RAYBET雷竞技下载苹果 申請。>>