中國集成電路產業2016年銷售額預計將超過4300億元

    今年以來，全球經濟一直未完全走出金融危機陰影，整體複蘇疲弱乏力，增速持續放緩，傳統PC業務進一步萎縮，智能終端市場需求逐步減弱，雲計算、大數據、物聯網帶來的新興市場需求尚未爆發。美國半導體行業協會數據顯示，受此影響，今年1-6月全球半導體市場銷售規模依舊呈現下滑態勢，為1574億美元，同比下降5.8%。

 

    與此相反，《國家集成電路產業發展推進綱要》(以下簡稱《推進綱要》)經過近兩年的係統實施，第一階段目標已順利完成。國家集成電路產業投資基金(以下簡稱國家基金)金融杠杆作用逐步顯現，適應產業發展的政策環境和投融資環境基本形成。在政策支持以及市場需求帶動下，我國集成電路產業繼續保持平穩快速的發展態勢。

 

    2016年集成電路行業呈四大特點

 

    第一，產業規模繼續增長，但進出口受經濟下行壓力影響較大。

 

    今年以來，我國集成電路產業繼續保持高位趨穩、穩中有進的發展態勢。國家統計局數據顯示，1-9月全國集成電路的產量為943.9億塊，同比增長約18.2%。據中國半導體行業協會統計，1-6月全行業實現銷售額為1847.1億元，同比增長16.1%，其中，設計業繼續保持較快增速，銷售額為685.5億元，同比增長24.6%，製造業銷售額為454.8億元，同比增長14.8%，封裝測試業銷售額為706.8億元，同比增長9.5%。但海關數據顯示，1-9月全國集成電路進出口額均出現不同程度的下滑。其中，進口金額1615.5億美元，同比下降0.7%，出口金額444.7 億美元，同比下降5.4%，整體經濟麵臨下行壓力對我國集成電路產業造成了一定影響。

 

    第二，技術水平和企業實力同步提升。

 

    今年以來，國內集成電路產業在多個技術領域取得了喜人的成果。芯片設計方麵，16納米先進設計水平進一步提升，華為海思目前已經發布了麒麟950 、955、960三款基於16納米FinFET技術的商用SoC芯片;芯片製造方麵，今年2月中芯國際宣布其28納米高介電常數金屬閘極工藝已經成功流片，這標誌著中芯國際成為大陸首家能夠同時提供28納米多晶矽和高介電常數金屬閘極工藝的晶圓代工企業，在量產的基礎上完成技術升級，實現了該工藝節點的技術覆蓋;封裝測試方麵，長電科技斥資2億美元助力星科金朋積極布局高端SiP項目，隨著下遊高端客戶的需求提升及公司SiP產能擴大，將帶動星科金朋營收及利潤快速增長。

 

    與此同時，國內骨幹集成電路企業整體實力也在持續提升。海思半導體、清華紫光分列全球設計企業排名第六、第十位。中芯國際今年上半年銷售額達到13.25億美元，同比增長25.4%，淨利潤1.59億美元，同比增長20.3%，已實現連續17個季度贏利。與此同時，通過資本運作，中芯國際先後收購了國內封裝測試龍頭長電科技、意大利汽車電子芯片代工企業LFoundry公司14.26%和70%股份，成為上述兩家公司的第一大股東。

 

    第三，國際合作持續推進，重點產品布局初步成型。

 

  《推進綱要》發布以來，海外龍頭企業不斷調整與我國合作策略，逐步由獨資經營向技術授權、戰略投資、先進產能轉移、合資經營等方式轉變，國際先進技術、資金加速向國內轉移。今年1月，英特爾、高通分別與清華大學、瀾起科技以及貴州省簽署協議，在服務器芯片領域開展深度合作。其中，英特爾授權清華大學、瀾起科技X86架構，開發“CPU+FPGA”結構的可重構服務器芯片;高通與貴州省政府成立了合資公司，開發基於ARM架構的高性能服務器芯片。此外，一批芯片製造重大項目陸續啟動。如武漢存儲器項目於3月開工建設，總投資240億美元;台積電在南京啟動了總投資30億美元的12英寸先進邏輯工藝生產線項目，預計2018年下半年投產，月產能達到2萬片;福建晉華存儲器項目於7月開工建設，項目一期投資370億元，預計2018 年形成月產能6萬片DRAM芯片生產能力。

 

    第四，國家基金對地方性基金撬動作用進一步凸顯。

 

    今年以來，國內陸續新增多支地方性集成電路產業投資基金，總規模超過500億元。其中，湖南省於3月設立了先期2.5億元規模的集成電路創業投資基金，並計劃於2015年~2017年階段性設立30億~ 50億元規模的集成電路產業投資基金;上海市於4月完成了首期集成電路產業投資基金的募資工作，規模達到285億元，將重點投資芯片製造業;四川省於5月設立了集成電路和信息安全產業投資基金，基金規模120億元，存續期10年;遼寧省於6月設立了集成電路產業投資基金，基金規模100億元，首期募資20億元;陝西省於9月設立的初始規模60億元，目標規模300億元的集成電路產業投資基金。國家集成電路產業投資基金設立以來，撬動作用逐步顯現，適應產業規律的投融資環境基本建立。

 

    未來存儲器產品布局有望全麵鋪開

 

    下一階段，頂層設計將進一步完善，助力產業持續發展。

 

    2016年是“十三五”的開局之年，隨著第一階段目標的順利完成，《推進綱要》的實施工作也正式開啟了第二階段的序幕。4月19日，習近平總書記在網絡安全和信息化座談會上發表了重要講話，特別突出了信息技術對國民經濟發展的巨大促進作用，並從基礎技術、通用技術，非對稱技術、“殺手鐧”技術，前沿技術、顛覆性技術等三個方麵對核心信息技術發展進行了部署，對新時期集成電路產業發展提出更高的要求。

 

    隨著《中國製造2025》、“互聯網+”行動指導意見等一係列國家戰略的持續深入實施，中國集成電路產業將繼續保持平穩快速的發展態勢。預計全年產業銷售額將超過4300億元，同比增速約20%。與此同時，從產業結構來看，芯片設計業比重將進一步提升至約40%，可以為下遊芯片製造和封裝測試環節帶來大量訂單，有效推動產業鏈的協同發展。

 

    同時，存儲器產品布局有望全麵鋪開。

 

    今年以來，武漢，深圳、合肥、泉州等多地紛紛擬布局或開工建設存儲器芯片生產線。全球存儲器業自1999年始，曆經六次大的兼並與退出，廠家數量越來越少，至今為止DRAM方麵隻剩下三家，包括三星、海力士和美光。而閃存方麵也隻有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲芯片領域很久沒有“新進者”出現了。中國此輪“存儲熱潮”既說明《推進綱要》第一階段實施工作已取得顯著成果，也預示著下一輪全球存儲器發展的中心將逐步向中國轉移。未來，隨著《推進綱要》實施的不斷深化，將進一步調動國際國內資源積極性，推動產業鏈協同能力不斷增強，進而促進技術進步，中國集成電路產業在存儲器等重大產品領域將實現突破性進展。

 

    另外，中資“海淘”受審查壁壘影響步伐將趨緩。

 

    2015年以來，全球半導體產業兼並重組、資本並購頻發，全年並購總金額超過1200億美元，中國企業(或者資本)也積極參與到這一進程之中。美國外商投資委員會(CFIUS)一份報告指出，近三年中資並購案居美國國安審查首位，約占總數近五分之一。中國如此大規模的並購行為也引發了各國高度警戒，紛紛采取防止關鍵技術外流的措施。CFIUS近一年來以威脅美國國家安全為由，封殺了多起中資參與的並購案，如：紫光集團先後對美光公司、西部數據公司的收購和入股行動，華潤微電子對仙童公司的收購，以及金沙江創投對飛利浦LED照明業務的收購等。與此同時，德國政府也對中資接連收購德國工業機器人及芯片製造商表示擔憂，擬密切關注及嚴審。當前，中國集成電路產業正處於快速上升期，國際並購是支撐這一階段發展的有效途徑，但由於操作層麵經驗不足，在一定程度上引起了國際產業界的抵觸情緒。

 

    建議營造高效的創新創業金融環境

 

    從市場需求來看，我國擁有全球最大且增長最快的集成電路市場，特別是隨著相關國家戰略的組織實施，雙創工作持續深入推進，內需市場活力將進一步釋放，我國集成電路產業將迎來更加廣泛的前景。但同時也應看到，國內產業仍麵臨技術水平差距大，產品供給存在結構性短板，以及人才總量不足，特別是高端人才缺乏等突出問題。

 

    為此提出一些建議:一是持續推動產品差異化發展，進一步加強需求牽引，以終端定義芯片，提升消費類、通信類產品芯片層次，提升產品性價比，加緊布局工業控製、汽車電子、傳感器等芯片開發，推動芯片產品供給側結構性改革;二是進一步優化產業發展環境，推動形成高效的產業資本與金融資本對接機製，適當放寬集成電路企業上市融資的條件，營造高效的創新創業金融環境。三是創新人才培養和引進機製，加強產學對接，緊密結合產業發展需求培養國際化、複合型、實用性人才。完善鼓勵創新的分配激勵機製，研究針對優秀企業家和團隊的引進“綠色通道”。