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PN6775集成超低待機功耗原邊控製器及高雪崩能力智能功率MOSFET，內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小於50mW，PN6775超低功耗芯片為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供了極為全麵的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等，用於高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。
PN6775在恒壓模式，采用多模式技術提高效率並消除音頻噪聲，使得係統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能，能使係統獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。
PN6775芯片特征
■ 內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 內置高壓啟動電路，小於50mW空載損耗（230VAC）
■ 采用多模式技術提高效率，滿足6級能效標準
■ 全電壓輸入範圍±5%的CC/CV精度
■ 原邊反饋可省光耦和TL431
■ 恒壓、恒流、輸出線補償外部可調
■ 無需額外補償電容
■ 無音頻噪聲
■ 智能保護功能：過溫保護 (OTP)、VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP) 、逐周期過流保護 (OCP)、CS開/短路保護 (CS O/SP）、開環保護 (OLP)。
封裝/訂購信息
輸出特性
典型應用電路圖
應用領域
■ 開關電源適配器
■ 電池充電器
■ 機頂盒電源
PN6775超低功耗芯片采用SOP8封裝，是超低待機功耗原邊反饋交直流轉換器，全電壓下典型應用功率6W，係統可省略的光耦和TL431，可以實現高精度的恒壓、恒流輸出，以滿足大部分充電器和適配器需求，更多PN6775超低功耗芯片產品手冊及應用資料請向RAYBETAPP
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